快科技8月26日消息，在芯片制程从FinFET向GAA环绕栅极结构演进、器件尺度持续微缩的背景下，传统光学检测已无法满足精度要求，电子束检测速度又太慢。
EUV量检测凭借高分辨率、高速度和无损检测的优势，成为先进制程的必然选择。ASML在EUV光刻领域的统治地位人所共知，但鲜有人注意到其在EUV量检测领域同样筑起了\"第二道防线\"。
如今，这道防线正被国产力量撕开缺口——华芯极光、朗道科技、云栖极耀、华日激光、皓宇芯光五家中国企业已率先入局，从光源研发到系统集成初步形成国产化矩阵。
EUV光源是量检测设备的核心，目前极紫外光源主要有三条技术路线。LPP（激光等离子体光源）和DPP（放电等离子体光源）功率高但造价昂贵，前者主要应用于EUV光刻机，后者多用于在线量测；加速器光源体积庞大，不适用于产线部署；HHG（高次谐波产生）光源可实现桌面化部署、波长可调、成本可控。
国际半导体技术路线图（IRDS 2024）已明确将HHG定义为下一代EUV量测的核心技术。国内企业中，皓宇芯光正是主攻HHG路线，其HHG-EUV光源检测分辨率优于DUV光源10倍以上。
需要指出的是，五家企业的布局各有侧重。华芯极光由师从2023诺贝尔物理学奖得主的林楠教授创立，曾在ASML研究部工作多年，手握120余项国际光源专利。专注于LPP-EUV光源中液滴锡靶的产生、动力学行为调控与精确测量等核心环节。
朗道科技聚焦LPP-EUV光源研发，创始团队源于清华大学气体放电等离子体实验室，已完成A轮融资。
云栖极耀从事紧凑型等离子体光源研发，已获中芯聚源等五家机构天使轮融资。
华日激光依托华中科技大学陆培祥团队技术积累，推动EUV相干光源产业化。
皓宇芯光专注HHG EUV光源路线，已覆盖软X射线到真空紫外全光谱区间。
不过，国产EUV量检测的挑战同样存在。LPP光源对液滴锡靶精度要求极高，HHG光源功率仍处于毫瓦至瓦级，产业化周期漫长。
但随着高亮度相干EUV光源技术的持续进步，以及相干衍射成像、散射量测等技术的深度融合，国产EUV量检测工具有望在掩模缺陷检测、晶圆三维量测、光刻胶表征等关键环节实现突破。
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